鉬在電子行業(yè)有可能取代石墨烯
美國(guó)加州納米技術(shù)研究院（簡(jiǎn)稱(chēng)CNSI）成功使用MoS2（輝鉬，二硫化鉬）制造出了輝鉬基柔性微處理芯片，這個(gè)MoS2為基礎(chǔ)的微芯片只有同等硅基芯片的20%大小，功耗極低，輝鉬制成的晶體管在待機(jī)情況下的功耗為硅晶體管的十萬(wàn)分之一，而且比同等尺寸的石墨烯電路更加廉價(jià)。而最大的變化是其電路有很強(qiáng)的柔性，極薄，可以附著在人體皮膚之上。
2011年瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院洛桑分校（EPFL）科學(xué)家制造出全球第一個(gè)輝鉬礦微晶片（上面有更小且更節(jié)能的電晶體）。輝鉬是未來(lái)取代硅基芯片強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)者。領(lǐng)導(dǎo)研究的安德拉斯·基什教授表示，輝鉬是良好的下一代半導(dǎo)體材料，在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽(yáng)能電池方面具有很廣闊的前景。
同硅和石墨烯相比，輝鉬的優(yōu)勢(shì)之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而硅是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運(yùn)動(dòng)和在兩納米厚的硅薄膜上一樣容易，輝鉬礦是可以被加工到只有3個(gè)原子厚的!
輝鉬所具有的機(jī)械特性也使得它受到關(guān)注，有可能成為一種用于彈性電子裝置（例如彈性薄層晶片）中的材料。 可以用在制造可卷曲的電腦或是能夠貼在皮膚上的裝置。甚至可以植入人體。
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